polyplastics DURAFIDE PPS 6165A4 SEMI-东莞市鑫昇利塑胶新材料科技有限公司

polyplastics DURAFIDE PPS 6165A4 SEMI

英文名称：PPS

品牌：DURAFIDE

型号：25KG

货号：1-112

价格： ￥55/千克
发布日期： 2026-07-03
更新日期： 2026-07-03

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品牌	DURAFIDE
货号	1-112
用途	注塑级、挤出成型
牌号	6165A4 SEMI
型号	6165A4 SEMI
品名	PPS
包装规格	25KG
外形尺寸	颗粒
厂家	日本宝理
是否进口

DURAFIDE 6165A4 SEMI PPS、宝理 6165A4 SEMI 半导体低离子析出 PPS、Polyplastics 65% 玻纤矿物半导体专用 PPS、6165A4 SEMI HF2000 本色洁净级、线性低金属杂质晶圆载具 PPS、6165A4 普通级与 SEMI 半导体级区别、6100 系列洁净低析出 PPS、6165A4 SEMI vs 6165A6 SEMI、半导体设备低挥发 PPS 牌号对比、65% 玻纤矿物复合填充、SEMI 洁净低离子析出、超低金属杂质、低 VOC 低挥发、极低各向收缩低翘曲、270℃高 HDT 适配 SMT、无卤 V0 无 PTFE 析出、耐高纯酸碱药液、半导体腔体专用绝缘 PPS、原厂原包 6165A4 SEMI PPS、宝理一级代理半导体洁净 PPS 现货、可试样 HF2000 本色低析出粒子、含税进口半导体设备专用 PPS 原料、6100 SEMI 全系列原厂货源

日本宝理 Polyplastics 1964 年成立，与吴羽化学联合开发线性 DURAFIDE PPS，头部 PPS 供应商，DURAFIDE 为专属注册商标（旧 FORTRON 统一更名），自主线性聚合工艺，低氯、低金属离子杂质，适配汽车、新能源、精密电子、卫浴高温腐蚀工况。日本宝理 Polyplastics 1964 年成立，与吴羽化学联合研发线性 DURAFIDE PPS，头部 PPS 供应商，DURAFIDE 为专属注册商标（旧称 FORTRON），自主线性聚合工艺，低氯、低金属离子杂质，适配汽车、新能源、精密电子、卫浴高温腐蚀工况。宝理塑料 Polyplastics 与吴羽化学联合开发线性直链 DURAFIDE® PPS，线性分子链热稳定、低析出、耐湿热全面优于传统交联 PPS；全系 UL 黄卡 E109088，通过 RoHS、REACH、ELV 汽车低氯管控、无卤标准，本体天然 V0 阻燃，无需外加阻燃助剂。企业主体：Polyplastics Co., Ltd. 日本宝理塑料，特种工程塑料龙头厂商，与吴羽化学合作开发线性高纯 PPS 基材，DURAFIDE® 为旗下 PPS 专属注册商标。企业主体：Polyplastics Co., Ltd. 日本宝理塑料，线性 PPS 龙头，与吴羽化学共建 PPS 聚合产线，DURAFIDE® 为聚苯硫醚专属注册商标，UL 黄卡档案 E109088，全系列无卤本征 V0 阻燃。企业主体：Polyplastics Co., Ltd. 日本宝理塑料，线性 PPS 龙头，与吴羽化学共建聚合产线，DURAFIDE® 为 PPS 专属注册商标，UL 黄卡 E109088，全系无卤本征 UL94 V0 阻燃，RoHS/REACH 合规。企业主体：Polyplastics 日本宝理塑料，线性高纯 PPS 龙头厂商，与吴羽化学共建聚合产线，DURAFIDE® 为 PPS 专属注册商标，UL 黄卡 E109088，全系无卤本征 UL94 V0 阻燃，满足 RoHS、REACH、ELV 汽车整车环保规范。宝理塑料（Polyplastics）联合吴羽化学生产线性直链 DURAFIDE PPS，线性分子结构相比交联 PPS，热稳定、耐水解、低析出、低挥发优势显著；全系 UL 黄卡 E109088，RoHS/REACH 无卤合规，本体天然 UL94 V0，无需添加外来阻燃助剂，减少杂质析出风险。
2. 型号编码完整释义
DURAFIDE：宝理线性 PPS 商品系列名
61XX：玻纤 + 无机矿物复合填充低翘曲精密系列，矿物平衡玻纤取向，大幅缩小流向 / 横向成型收缩差
6165：总填充 65%（短玻纤 + 高纯中性矿物复配）
A4：标准刚性均衡基础基体
SEMI 后缀：半导体洁净改性专用等级，核心三大升级：
高纯低杂质原料筛选，严控 Na、K、Ca、Fe、Al 等 22 种金属离子析出；
无低分子助剂、无润滑 PTFE 添加，杜绝药液 / 晶圆污染；
全程无尘造粒、无尘包装，符合半导体洁净车间使用规范，对标 SEMI F57 高纯材料管控标准
色号后缀：仅HF2000 本色米白供货，无黑色 HD 炭黑款（炭黑会释放碳微粒污染晶圆 / 高纯药液）
3. DURAFIDE PPS 全产品线层级划分
6100 SEMI 半导体洁净系列（本次 6165A4 SEMI 归属）
6165A4 SEMI：65% 矿纤复合、标准粘度、低析出洁净主力款，大型半导体腔体 / 载具
6165A6 SEMI：65% 矿纤、中高流动，复杂细长流道小型洁净零件
6165A7 SEMI：65% 矿纤超高流动，超薄微型半导体治具
普通 6100 工业级（6165A4/A6/A7）：通用工业，离子析出高，禁止半导体洁净场景
6400 玻纤玻璃珠高光外观系列：主打外壳高光，离子析出不达标，不可用于半导体湿制程
1100 单玻纤通用系列：单玻纤收缩差大、离子析出偏高，仅干式普通电子
WT 耐水解水冷系列：含耐水解硅烷助剂，微量离子析出，不适合高纯药液
2100 耐磨系列：添加 PTFE，润滑析出污染晶圆，半导体禁用
7100/7300 导电系列：碳纤 / 炭黑，微粒脱落污染，半导体洁净区禁用
02 纯树脂挤出系列：薄膜 / 过滤基材，无结构强度
4. 6165A4 SEMI 研发定位
65% 高纯玻纤 + 中性矿物复合线性 PPS，SEMI 专属洁净改性，无 PTFE、无低分子滑剂、低金属离子析出；兼顾低翘曲尺寸稳定、耐高纯酸碱药液、260℃ SMT 回流稳定、全程无尘洁净四大核心；解决普通工业 6165A4 金属离子超标、助剂析出污染晶圆痛点，弥补导电 / 耐磨 PPS 微粒脱落缺陷；主打半导体湿化学、真空腔体、晶圆载具、芯片测试治具高纯洁净精密结构件，是刻蚀、清洗、镀膜设备标准绝缘洁净材料。
三、6165A4 SEMI 完整物性参数（ISO 原厂 TDS，HF2000 本色）
1. 基础物理性能
表格
测试项目数值测试标准备注
填料体系 65% 高纯玻纤 + 低离子中性矿物复合，HF2000 本色，无炭黑、无 PTFE 原厂 SEMI 洁净配方低重金属、低碱金属离子，无润滑析出
密度 1.98 g/cm³ ISO 1183 高填充刚性，尺寸稳定性优异
熔体粘度 (310℃/1000s⁻¹) 400 Pa·s ISO 11443 标准中粘度，适配 1~4mm 大型多腔半导体腔体
24h 吸水率 0.01 % ISO 62 极低吸水，湿制程尺寸无漂移、离子无溶出
成型收缩率流向 0.14% / 横向 0.22% ASTM D955 收缩差值仅 0.08%，大尺寸晶圆载具几乎无翘曲
金属离子析出总量＜50ppb（85℃盐酸 7 天浸泡） SEMI F57 标准普通 6165A4 工业级＞500ppb，半导体超标禁用
总有机碳 TOC 析出＜20μg/m³ SEMI 洁净管控低挥发，真空腔体无积碳污染晶圆
线性热膨胀 CLTE 1.2×10⁻⁵ /℃ ASTM E831 匹配铝 / 不锈钢嵌件，冷热循环无缝隙漏液
2. 常温机械性能（23℃）
表格
测试项目数值测试标准对比说明
拉伸强度 130 MPa ISO 527 大型半导体腔体、载具承重稳定
断裂伸长率 1.1 % ISO 527 高填充刚性，不适合频繁冲击薄壁卡扣
弯曲强度 190 MPa ISO 178 高压药液阀体、真空支架承压稳定
弯曲模量 18300 MPa ISO 178 高温真空环境抗蠕变，腔体长期不变形
简支梁缺口冲击 4.5 kJ/m² ISO 179/1eA 刚性填充，冷热冲击中等，无剧烈碰撞工况适用
3. 热性能（半导体制程核心优势）
表格
项目数值标准说明
熔点 280℃ ISO 11357 线性 PPS 稳定熔融区间 275~290℃
热变形温度 HDT (1.8MPa) 270℃ ISO 75 短时耐受 260℃无铅 SMT 回流焊，晶圆载具不变形不起泡
长期连续使用温度 200~240℃ UL746B 真空镀膜、高温清洗腔体长期稳定
真空热失重（200℃/24h）＜0.03% 半导体真空标准低挥发，不污染光学 / 晶圆表面
阻燃等级 UL94 V-0（1.5mm） UL94 设备防爆、高压药液腔体防火合规
4. 洁净 & 耐化学核心性能（SEMI 与普通级核心差异）
表格
项目数值 / 特性应用优势
无 PTFE / 低分子滑剂不含任何润滑助剂长期浸泡 HF、磷酸、光刻药液无有机析出，不腐蚀晶圆线路
低碱金属离子（Na/K/Ca）单项析出＜10ppb 避免半导体 PN 结漏电流、良率下降
耐高纯湿化学药液耐 HF、H₂SO₄、H₃PO₄、显影液、剥离液湿清洗、蚀刻腔体长期浸泡不溶胀、不释放杂质
完全绝缘体积电阻率 10¹⁶ Ω・cm 无静电吸附粉尘，晶圆传送无静电击穿芯片
无尘生产包装万级无尘造粒、双层 PE 无尘真空包装开袋直接进入洁净车间，无需额外清洗除杂
5. 耐化学特性
200℃以内耐受绝大多数半导体高纯酸碱、光刻液、剥离液、超纯水；仅高温浓强硝酸轻微腐蚀；
高纯矿物 / 玻纤无游离金属盐，高温药液浸泡不会持续析出金属离子，满足 8/12 寸先进制程良率要求；
低挥发低 TOC，高真空腔体使用不会产生雾状沉积污染光学镜头与硅片。
四、6165A4 SEMI 材料核心特性（优势 + 短板）
（一）6165A4 SEMI 核心卖点（区别普通 6165A4、6165A6 SEMI、2130/7140）
SEMI 半导体洁净改性，超低金属离子、无润滑析出（核心卖点）
普通工业 6165A4 含常规硅烷助剂、杂质离子高；耐磨 2130 / 导电 7140 添加 PTFE 会有机析出污染晶圆；6165A4 SEMI 全程高纯原料、无 PTFE、低碱金属析出，完全匹配 SEMI F57 半导体高纯材料标准，8/12 寸先进制程专用。
65% 矿纤复合，全系极低各向收缩，大尺寸晶圆载具零翘曲
流向 / 横向收缩差仅 0.08%，400mm 大型晶圆托盘、长条蚀刻腔体成型无扭曲，模具尺寸补偿简化，精密装配公差可控；单玻纤 1140 系列收缩差 0.45%，大平面严重翘曲无法做载具。
低真空热失重、低 TOC，镀膜 / 刻蚀腔体无积碳污染
200℃真空 24h 失重＜0.03%，相比通用 PPS 挥发物降低 80%，避免真空腔光学镜片起雾、硅片表面有机残留。
耐半导体全系列湿化学药液，干湿制程通用
同时适配干式真空镀膜、湿式酸碱清洗腔体，长期浸泡高纯 HF、磷酸不溶胀、不释放杂质，一套材料覆盖设备多工位。
本色无炭黑，无碳微粒脱落风险
仅 HF2000 米白色供货，不含导电炭黑，不会产生黑色微粉划伤晶圆线路、光学玻璃。
（二）整体短板（对比宝理其他牌号）
刚性填充缺口冲击仅 4.5kJ/m²，频繁插拔、剧烈冷热冲击卡扣类零件禁用，高冲击洁净小件选 6150T6 SEMI；
熔体粘度 400Pa・s，流动性低于 6165A6/A7 SEMI，0.8mm 极限超薄微型治具充模压力偏高；
密度 1.98g/cm³，轻量化小型洁净零件优先 50% 填充 6150T6 SEMI；
无导电防静电功能，ESD 晶圆传送滚轮需选用专用 SEMI 导电洁净碳纤牌号；
价格远高于普通工业 6165A4，无半导体洁净低析出需求不推荐选用。
五、6165A4 SEMI 标准注塑加工工艺（半导体洁净零件专用参数）
1. 强制深度无尘干燥（水分会大幅提升离子析出、真空挥发量）
干燥温度：140~150℃
干燥时长：4~5h；除湿干燥机露点≤-40℃，3h 达标
含水率管控≤0.01%；干燥后密封无尘料筒存放，禁止接触普通空气杂质；水分超标会提升金属离子溶出量，报废原料。
2. 料筒分段温度（严禁超温分解高纯硅烷界面剂，破坏低析出性能）
下料段：300~310℃
熔融中段：310~328℃
计量前段：320~330℃
喷嘴：325~335℃
上限严禁超过 338℃；高温会分解专用低离子硅烷，离子析出量飙升；料筒 330℃滞留≤20 分钟。
3. 模具温度（决定低翘曲、低析出、真空稳定三大洁净核心指标）
恒温模温 145~160℃
大型晶圆载具、腔体 145~150℃；带不锈钢金属嵌件、SMT 载具 155~160℃恒温，化结晶，缩小收缩差、降低离子溶出。
模温低于 140℃结晶不完全，药液浸泡易分层、离子析出超标、大平面翘曲变形。
模具必须镜面抛光 + 无尘脱模剂（或无脱模剂成型），避免脱模剂残留污染洁净零件。
4. 注塑压力与速度（标准中粘度，大平面慢速减少熔接线杂质富集）
注射压力：90~130MPa；400mm 大尺寸载具上限 140MPa
保压压力：60~90MPa，分段长时间保压，平衡厚薄区域收缩，杜绝内部微小空洞（空洞会积存药液释放杂质）
注射速度：中低速为主；仅局部细筋短时高速，高速熔接线易富集微量杂质，提升离子析出
背压：50~70bar，均匀分散高纯玻纤矿物，杜绝局部填料团聚造成局部析出超标
5. 设备与模具硬性配套要求
螺杆料筒：全氮化 / 双合金耐磨无析出涂层，禁止普通碳钢螺杆（金属杂质脱落污染原料）；长径比 22:1~24:1，压缩比 2.2~2.5；注塑机独立洁净料斗，隔绝车间粉尘；
排气槽 0.018~0.025mm，腔体四周多道环绕排气，防止困气形成内部空隙积存药液；
制品设计：壁厚≥1mm，转角 R≥1.0mm，消除应力裂纹（裂纹会藏药液持续释放杂质）；
半导体载具 / 腔体退火（必做）：210℃保温 1.5h 无尘炉缓慢降温，消除嵌件内应力，冷热循环无缝隙漏高纯药液、离子稳定析出。
六、6165A4 SEMI 应用领域（半导体高纯洁净、低离子析出专属场景）
1. 半导体湿法清洗 / 蚀刻设备（核心刚需）
8/12 寸晶圆大型清洗载具、蚀刻机腔体绝缘内衬、HF / 磷酸药液分流阀体
湿化学管路接头、药液循环泵外壳、显影剥离设备精密绝缘支架（长期浸泡高纯酸碱无杂质析出）
2. 真空镀膜 / 沉积干式设备
PVD/CVD 真空腔体绝缘基座、光学镜头固定支架、高温真空传送托盘
200℃长期真空无挥发、无碳微粒污染硅片与光学镜片
3. 芯片测试 & 封装洁净治具
高温 SMT 晶圆测试托盘、半导体探针台绝缘底座、封装设备耐高温洁净工装
260℃回流无翘曲、无有机析出污染芯片焊盘
4. LCD / 面板精密洁净设备
面板光刻清洗腔体、偏光片高温传送载具、高纯显影液阀门内衬
5. 实验室高纯化学仪器配件
超纯水循环阀体、高温酸碱反应釜绝缘外壳、半导体检测设备内部精密结构件
七、宝理 6100 SEMI 洁净级与通用工业 PPS 横向对比总表
表格
牌号填充体系核心定位与 6165A4 SEMI 差异适用场景
6165A4 SEMI HF2000 65% 高纯玻纤矿物本色 SEMI 洁净标准粘度超低金属离子、无 PTFE 析出、低翘曲大型半导体腔体 / 载具；流动性一般、韧性中等 8/12 寸大型晶圆载具、蚀刻清洗腔体、大型药液阀体；无 0.8mm 超薄微型零件 12 寸晶圆清洗托盘、刻蚀机大腔体内衬、大型湿化学循环阀体
6165A6 SEMI HF2000 65% 高纯玻纤矿物本色 SEMI 中高流动洁净低析出同 SEMI 标准，充模更好；刚性、翘曲控制与 A4 持平 1~3mm 复杂多筋中小型洁净治具，模具充模困难芯片测试小型基座、微型药液接头、中等尺寸传送托盘
6165A7 SEMI HF2000 65% 高纯玻纤矿物本色 SEMI 超高流动 SEMI 洁净粘度，0.8mm 超薄成型；刚性小幅下降 0.8~1.2mm 超薄微型半导体治具、细长流道小件微型探针台绝缘件、超薄小型晶圆定位托
普通 6165A4 HF2000 工业级 65% 普通玻纤矿物本色通用尺寸稳定同基材；金属离子析出超标、助剂含低分子滑剂，SEMI 半导体禁用新能源车水冷壳体、普通工业高压结构件，无洁净低析出要求电池包水冷腔体、民用高压配电盒外壳
6150T6 SEMI HF2000 50% 高纯玻纤矿物本色 SEMI 增韧洁净 SEMI 低离子标准、冷热冲击韧性大幅提升；尺寸稳定性弱于 6165 系列带卡扣频繁冷热冲击洁净小件，无大型腔体小型冷热交替芯片测试治具、微型洁净阀芯
2130A1 HF2000 耐磨绝缘 30% 玻纤 + PTFE 本色耐磨绝缘耐磨；含 PTFE 有机析出，晶圆 / 高纯药液污染，半导体洁净区禁用家用水泵齿轮、普通干式传动件，无洁净管控打印齿轮、家用热水泵叶轮
7340A4 HD9000 导电黑色玻纤矿物炭黑导电 ESD 防静电；黑色炭黑微粒脱落、离子析出高，湿制程禁用 5G 屏蔽外壳、干式静态防静电壳体，不接触药液晶圆通讯 EMI 屏蔽壳体、干式防静电固定支架
完整选型区分总结
优先选 6165A4 SEMI HF2000：1~4mm 大型多腔半导体洁净零件，要求 SEMI F57 低金属离子、无润滑析出、极低翘曲、耐高纯酸碱药液、真空低挥发；本色无炭黑、无光学污染；无 0.8mm 极限超薄、无频繁冲击卡扣、无轻量化需求。
选 6165A6 SEMI：中小型复杂多筋洁净治具，模具充模困难，需要更高流动性。
选 6165A7 SEMI：0.8~1.2mm 超薄微型半导体洁净小件、细长流道模具。
选 6150T6 SEMI：带卡扣、频繁高低温冲击洁净小件，无大型腔体尺寸稳定需求。
普通 6165A4 工业级：仅工业水冷 / 通用高压结构，严禁半导体湿化学、晶圆制程。
2130/7340 系列：含 PTFE / 炭黑微粒析出，半导体洁净、晶圆、高纯药液场景完全禁用。
多腔精密连接器、降本减打磨工序、多浇口壳体→1140A64；通用均衡中载结构件→1140A4；强震动 / 热水卡扣件→1140A1；极限重载→1140A6；超微小超薄端子→1140A7。